Infineon Technologies

GaN 功率電晶體

Infineon CoolGaN™ 高效常關型元件可實現更高等級的功率密度

Infineon GaN 功率電晶體的圖片 Infineon CoolGaN 電晶體具有快速的開啟與關閉速度、最小的切換損耗、多種封裝選項。CoolGaN 已通過嚴格的標準驗證，效能超越業界標準，可大幅提升整體系統效能，同時降低系統成本並提升使用簡便性。

特點
  • 60 V 至 120 V 增強模式電晶體
  • 雙面和底面冷卻封裝選項
  • 無逆向恢復電荷
  • 逆向傳導能力
  • 低閘極電荷，低輸出電荷
  • 超越 JEDEC 標準
優勢
  • 卓越的功率密度
  • 最高效率
  • 更佳的熱管理
  • 極佳可靠性
  • 降低物料清單成本
  • 利用即用型參考板，加快產品上市時程
應用
  • 音訊放大器
  • 電池供電式工具
  • 無人機
  • 光電
  • 機器人技術
  • SMPS
  • 電信基礎設施
  • USB-C® 配接器與充電器
資源

GaN Power Transistors

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發佈日期： 2025-07-22

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