CoolSiC™ MOSFET 離散元件 1,400 V G2，採用 TO-247PLUS-4 迴流焊接封裝

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            CoolSiC™ MOSFET 離散元件 1,400 V G2，採用 TO-247PLUS-4 迴流焊接封裝
                    Infineon MOSFET 離散元件為電源管理提供創新解決方案
    

Infineon Coolsic™ MOSFET 離散元件 1400 V G2，採用 TO-247PLUS-4 迴流焊接封裝的圖片 Infineon 1,400 V、8 mΩ CoolSiC MOSFET 離散元件採用 TO-247PLUS-4 迴流焊接封裝，是一款高效能元件，專為電動車充電、儲能系統、自駕車等要求嚴苛的應用而設計。其採用最新 CoolSiC MOSFET G2 1,400 V 技術，提供卓越的熱管理、更高的功率密度、增強的可靠性。此元件採用可迴流焊接的封裝設計，支援最多三次迴流焊接循環，從而降低熱阻並提高整體系統效率。主要特性包括高電壓額定值、低導通電阻、先進的熱管理功能。憑藉高功率、高效率、可靠性的獨特組合，此元件是高功率應用的理想選擇，可提升系統效能並降低能量損耗。