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切換式電源供應器：CoolMOS™Infineon Technologies 提供多種產品，包括用於各種 PFC 及 PWM 拓撲的高電壓 MOSFET (CoolMOS™)、MOSFET 驅動 IC (EiceDRIVER™)、控制 IC 碳化矽二極體 (thinQ!™)，還有用於同步整流的低電壓 MOSFET (OptiMOS™)。 Infineon 推出這些產品因應不斷提升的能源消耗量以及迫切的節能需求。 新款的 600 V CoolMOS™ C7 延續先前的 650 V C7 系列，為 PFC 拓撲帶來同級最佳效能，但與 650 V C7 不同的是，其亦可在 LLC 等諧振拓撲中達到高效能與最高效率。 全世界最佳的 Ron∗A (<1Ω.mm²) 能實現全新的同級最佳封裝 RDS(on)，例如 TO-220 達到 40 mΩ。 另外結合創新封裝，例如 TO-247 四引腳（使用感測源概念），甚至能在功率大於 500 W 的情況下達到更高效率。 CoolMOS™ C7 的最低 Coss 與 Qg 值能讓切換頻率提升，但不會損及效率；藉由縮減磁性元件的尺寸，有助於解決系統中的功率密度及成本難題。 CoolMOS™ CE 系列適用於中低功率，若要達到更高功率成本效益比，推薦使用 SMPS CoolMOS™ P6，就像 600 V C7，此兩款系列都非常有彈性，並且可用於 PFC 及 PWM 級。 在同步整流方面，OptiMOS™ 系列提供低導通電阻及電容值，且亦可搭配 EiceDRIVER™ 閘極驅動 IC 使用。 在 PFC 級方面，推薦使用 C7 搭配 SiC Gen 5。 Infineon 控制 IC 支援 PFC、LLC 及準共振返馳式等拓撲。
600 V CoolMOS™ C7Infineon 的新款 600 V CoolMOS™ C7 MOSFET 系列，具有比 600 V CoolMOS™ CP 降低 50% 的 Eoss 損耗，效能與 GaN 類似，並且帶來新的效率等級。 600 V C7 可用於 PFC 級與高階 PWM 級，有助您組成設計套件並降低成本。
PFC 及 ITTF 等硬切換拓撲的耗損會特別低，這歸功於同級最佳的 RDS(on) 與 Eoss 值；但與 650 V C7 不同的是，600 V CoolMOS™ C7 由於具有低 Qoss 與 QG，因此在軟切換拓撲中亦表現良好。 在 PFC 與 PWM 級中，CoolMOS™ 產品能完全適用。 由於 CoolMOS™ C7 系列具有最低的 Coss 與 Qg 值，因此能讓切換頻率提升，但不會損及效率。 從系統層面來看，這表示功率密度及物料清單成本能透過更小的磁性元件而節省成本。 從 65 kHz 轉移到 130 kHz 可節省磁性元件中高達 30% 的材料成本。 此外，600 V CoolMOS™ C7 具有比其他任何超級接面 MOSFET 都還小的封裝及更低的 RDS(on) x A 值（如 TO-220 達到 40 mΩ），因此有利於設計的擴充性及模組化，甚至能達到更高的功率範圍，且由於設計更小，因此能節省您的應用封裝成本。 使用 600 V C7 技術搭配創新封裝（如 TO-247）亦可提供選項進一步提升效率，或享受此組合的優點並保持相同的效率，且透過 RDS(on) 的提高而節省成本。 
高性能與簡易使用性的最佳平衡Infineon 透過 CoolMOS™ P6 擴充其市場領先的 CoolMOS™ 產品組合，在注重性價比的超級接面領域中樹立新的指標。 全新的高度創新產品系列，專為達到更高系統效率所設計，同時也更容易導入設計。 CoolMOS™ P6 破除技術之間的隔閡，專注在提供極致效能，例如高效能的 CoolMOS™ CP，並且注重使用簡便性的產品，例如 CoolMOS™ C6/E6。 新款裝置針對伺服器、電信整流器、PC Silverbox 以及電玩主機等應用，在軟硬切換式 PFC 和 PWM 拓撲上提供高效能。 此外，CoolMOS™ P6 系列在超級接面技術上提供目前市面最佳的性價比。 查看全部 CoolMOS™ 產品CoolMOS™ 600 V P6 產品組合
應用
市場領先的新一代超級接面 MOSFETInfineon 結合領導供應商的超級接面 MOSFET 製造經驗以及高度創新，推出全新 500 V CoolMOS™ CE 系列擴充其 CoolMOS™ 產品組合。 此全新裝置是市場領先的高電壓功率 MOSFET 技術平台，提供快速切換超級接面 MOSFET 的所有優勢，並且無損使用簡便性。 在注重價格和目標的應用中，例如消費性、PC Silverbox 以及照明應用中，500 V CoolMOS™ CE 系列提供市場最佳的性價比，同時符合更高的效率標準。 500 V CoolMOS™ CE 系列具有現代超級接面 MOSFET 的所有優勢，例如低特定區域的導通電阻以及輸出電容所儲存的能量降低，提供主體二極體高度耐用性，達到極低的導通和切換耗損，能讓切換應用更有效率、更精巧、更輕盈且更低溫。 查看所有 CoolMOS™ 產品CoolMOS™ 500 V CE 產品組合
應用
市場領先、同級最佳的封裝導通電阻Infineon 推出新款 650 V CoolMOS™ C7 系列，在功率因數校正 (PFC) 等硬切換應用創下新的效能水準。 此系列承襲前代產品 CP 系列的特性，並且平衡多種關鍵參數，因此可在全負載範圍內提供效率優勢。 C7 具備哪些優勢？切換損耗比同級最佳的 SMPS 前代系列 CoolMOS™ CP 減少 30% 耐用度比 CoolMOS™ CP 提升 100%，達到 100 V/ns（原本為 50 V/ns） 採用 650 V，為設計人員提供額外安全餘裕，因此非常適合 SMPS 應用。 全新的 CoolMOS™ C7 系列享有 12 年製造經驗的優勢，並且具備 Infineon 的傑出品質。 查看全部 CoolMOS™ 產品CoolMOS™ C7 產品組合
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