GD25WD SPI NOR 快閃記憶體

GigaDevice 推出超低功率快閃記憶體系列,具有零深度省電電流

GigaDevice 的 GD25WD SPI NOR 快閃記憶體圖片GigaDevice 推出具有零深度省電電流和低主動讀取電流的 GD25WD 系列,主要目標為低功耗應用。GD25WD 系列亮點包括零待機電流和 1.65 V 至 3.6 V 的寬廣電壓範圍。

128 位元唯一識別碼功能還能為低功率應用提供增強的安全性。

特點
  • 電壓:1.65 V 至 3.6 V
  • 密度:512 Kb 至 8 Mb
  • 介面:單或雙通道 SPI
  • 雙 SPI 數據傳輸速率高達每秒 160 Mb
  • 靈活的記憶體架構 (扇區大小:4K 位元組,區塊大小:32/64K 位元組)
  • 高可靠性,20 年數據保留和 100,000 次編程/抹除循環
  • 寬廣的工作溫度範圍介於 -40°C 至 125°C
 
  • 功耗:
    • 零待機電流:0.1 μA (無需斷電)
    • 在 40 Mhz 時的讀取電流降至 3 mA
    • 編程/抹除電流:低於 10 mA
  • 進階安全功能:128 位元唯一識別碼支援最小的 USON8 (1.5 mm x 1.5 mm) 和 KGD 晶圓選項
應用
  • 行動
  • IoT 裝置
  • 消費性產品
  • 藍牙連線裝置
  • 穿戴式裝置
  • 健康監測裝置

GD25WD SPI NOR Flash Memory

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發佈日期: 2019-06-10