uP1966E:用於 GaN FET 的 80 V 半橋閘極驅動器

EPC 和 uPI Semiconductor 攜手合作,推出 uP1966 GaN 解決方案,讓 GaN 設計具有成本效益和快速上市時間

EPC uP1966E:用於 GaN FET 的 80 V 半橋閘極驅動器的圖片EPC 銷售的 uP1966E 設計用於驅動半橋拓撲中的高側、低側 GaN FET,並在兩個通道上以數 MHz 的頻率運作。這種高速效能可確保高效、可靠的運作,使其成為需要快速切換的應用的理想選擇。

特點
  • 0.4 Ω/0.7 Ω 下拉/上拉電阻
  • 快速的傳播延遲 (20 ns 典型值)
  • 快速的升降時間 (8 ns/4 ns 典型值)
  • 可調節輸出以達到開啟/關閉能力
  • CMOS 相容輸入邏輯 (獨立於電源電壓)
  • 電源輸入欠壓鎖定
應用
  • DC/DC 轉換器
    • 資料中心
    • AI 伺服器
  • AC/DC 和 DC/DC 的同步整流
  • 負載點轉換器
  • Class D 音訊
  • LED 照明

uP1966E 80 V Half Bridge Gate Driver for GaN FETs

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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSPUP1966EIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP240761 - 即時供貨$18.77查看詳情
發佈日期: 2024-10-08