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EPC2111 30 V eGaN® 電晶體半橋

EPC 的 EPC2111 增強型 GaN 功率電晶體半橋可提高效率和功率密度

EPC 的 EPC2111 30 V eGaN® 電晶體半橋圖片EPC 的 30 V eGaN 半橋 EPC2111 將兩個 eGaN 功率 FET 整合到一個元件中，可提高效率和功率密度，同時降低最終用戶電源轉換系統的組裝成本。EPC2111 採用晶片尺寸封裝，可提高開關速度和散熱效能，僅為 3.5 mm x 1.5 mm，可提高功率密度。此元件的主要應用是筆記型電腦和平板電腦運算。GaN 的高頻能力可縮小功率轉換所需的尺寸，因此有助於大幅縮小次世代行動運算的尺寸。

特點
  • 高頻能力
    • 單晶片整合，因此沒有互連電感，可在更高頻率下達到更高效率
  • 高效率
    • 更低傳導與切換損耗、零逆向復原損耗
  • 小型覆蓋區
    • 低電感值、極小型、3.5 mm x 1.55 mm BGA 表面黏著鈍化晶粒
應用
  • 高頻率 DC/DC 電源轉換
  • 筆記型和平板電腦運算

EPC2111 30 V eGaN® Transistor Half-Bridge

圖片製造商零件編號說明電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°CRds On (最大值) @ Id、VgsVgs(th) (最大值) @ Id現有數量價格查看詳情
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發佈日期： 2019-08-16

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