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EPC2057 50 V、8.5 mΩ GaN FET

EPC 的電晶體具有超低 8.5 mΩ 導通電阻，可大幅降低功率損耗並提高整體效率

EPC 的 EPC2057 50 V、8.5 mΩ GaN FET 的圖片EPC 的 EPC2057 50 V、66 A 脈衝電流 GaN 場效電晶體 (FET) 是專為滿足高功率 USB-C® 裝置不斷變化的需求而設計，像是消費性電子產品、車載充電、電動車中使用的裝置。此電晶體具有 8.5 mΩ 的超低導通電阻，可大幅降低功率損耗並提高整體效率。其覆蓋區極小，非常適合空間受限的應用，可實現更小、更高效的電源配接器和充電器。

特點
  • 高效率
    • 具有超低 8.5 mΩ 導通電阻，可大幅降低功率損耗、提高整體效率
  • 緊湊設計
    • 覆蓋區小，非常適合空間受限的應用，可實現更小、更高效的電源配接器和充電器
  • 快速切換
    • GaN 技術可實現更快的切換速度，提高功率密度並縮小被動元件的尺寸，從而實現更緊湊、更輕巧的設計
  • ID：9.6 A
  • VDS：50 V
  • RDS(ON)：最大值 8.5 mΩ
應用
  • DC/DC 轉換器
  • 資料中心
  • AI 伺服器
  • USB-C 電池充電器
  • LED 照明
  • 12 V 至 24 V 輸入馬達驅動器

EPC2057 50 V, 8.5 mΩ GaN FET

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發佈日期： 2024-07-01

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