碳化矽 (SiC) 肖特基能障二極體 (SBD) - BSD 系列

Bourns 的 SiC 肖特基能障二極體適用於高頻和大電流應用,可提供出色的熱效能

Bourns 碳化矽 (SiC) 肖特基能障二極體 (SBD) - BSD 系列的圖片Bourns 的 BSD 系列 SiC SBD 專為需要提高峰值順向突波承受能力、低的順向壓降、降低熱阻和低功率損耗的高頻和大電流應用而設計。這些先進的寬能隙組件是理想的電源轉換解決方案,可幫助提高 DC-DC 和 AC-DC 轉換器、切換式電源供應器 (SMPS)、光電逆變器、馬達驅動器和其他種整流設計等應用的可靠度、切換效能和效率。

除了提供 650 V 至 1200 V 電壓運行和 6 A 至 10 A 範圍內的電流外,BSD 型號的特點為沒有反向回復電流,因此可以降低 EMI,使這些 SiC SBD 能夠顯著降低能量損耗,進一步提高效率。這六款 BSD 型號提供出色的熱性能和高功率密度,以及各種順向電壓、電流和封裝選項 (包括 TO220-2、TO247-3、TO252 和 DFN8x8),為設計人員提供了滿足其應用規格所需更高的功率密度,同時幫助他們開發更小、頂級工藝的電力電子設備。

特點
  • 低功率損耗、高效率
  • 低逆向漏電流
  • 高峰值順向突波承受能力 (IFSM)
  • 降低 EMI
  • 無反向回復電流
  • 散熱更少
  • 低順向電壓 (VF)
  • 最大接面工作溫度範圍 (TJ) 高達 +175°C
  • 環氧樹脂灌封膠具有阻燃性,符合 UL 94V-0 標準
應用
  • SMPS
  • 功率因數校正 (PFC)
  • 光電逆變器
  • DC/DC、DC-DC 轉換器
  • 電信
  • 馬達驅動

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更新日期: 2023-11-07

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) – BSD Series

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發佈日期: 2023-08-08