碳化矽 (SiC) 肖特基能障二極體 (SBD) - BSD 系列
Bourns 的 SiC 肖特基能障二極體適用於高頻和大電流應用,可提供出色的熱效能
Bourns 的 BSD 系列 SiC SBD 專為需要提高峰值順向突波承受能力、低的順向壓降、降低熱阻和低功率損耗的高頻和大電流應用而設計。這些先進的寬能隙組件是理想的電源轉換解決方案,可幫助提高 DC-DC 和 AC-DC 轉換器、切換式電源供應器 (SMPS)、光電逆變器、馬達驅動器和其他種整流設計等應用的可靠度、切換效能和效率。
除了提供 650 V 至 1200 V 電壓運行和 6 A 至 10 A 範圍內的電流外,BSD 型號的特點為沒有反向回復電流,因此可以降低 EMI,使這些 SiC SBD 能夠顯著降低能量損耗,進一步提高效率。這六款 BSD 型號提供出色的熱性能和高功率密度,以及各種順向電壓、電流和封裝選項 (包括 TO220-2、TO247-3、TO252 和 DFN8x8),為設計人員提供了滿足其應用規格所需更高的功率密度,同時幫助他們開發更小、頂級工藝的電力電子設備。
Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) – BSD Series
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | BSDD06G65E2 | DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252 | 4963 - 即時供貨 | $24.88 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | BSDH10G120E2 | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220 | 2800 - 即時供貨 | $49.52 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | BSDH10G65E2 | DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220 | 2871 - 即時供貨 | $32.96 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | BSDL10S65E6 | DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN | 2697 - 即時供貨 | $37.37 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | BSDW20G120C2 | DIODE ARRAY SIC 1200V 20A TO-247 | 2984 - 即時供貨 | $73.34 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | BSDD08G65E2 | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO252 | 5000 - 即時供貨 | $28.47 | 查看詳情 |







