高速行動 DDR SDRAM

Alliance Memory 推出 AS4CxxMxxMD1 高速行動 CMOS 雙倍數據傳輸率同步 DRAM

Alliance Memory 的 AS4C16M16MD1/32M16MD1/16M32MD1/64M16MD1 高速行動 DDR SDRAM 圖片Alliance Memory 的高速行動 CMOS 雙倍數據傳輸率同步 DRAM (DDR SDRAM) 設計能為小型可攜式裝置提升效率並延長電池續航力。此元件具有 1.7 V 至 1.95 V 的低功耗以及多項節能特點,提供 256 MB、512 MB、1 GB、2 GB 款式,採用 8 mm x 9 mm 60 焊球和 8 mm x 13 mm 90 焊球 FPBGA 封裝。AS4C16M16MD1、AS4C32M16MD1、AS4C16M32MD1、AS4C64M16MD1、AS4C32M32MD1 和 AS4C64M32MD1 提供可靠、立即可用的引腳相容替代品,適合高頻寬、高效能記憶體系統應用中多種相似的解決方案。

特點和優點
  • 低功耗:1.7 V 至 1.95 V
  • 節能特點:
    • 自動溫度補償式自行刷新 (ATCSR)
    • 局部陣列自行刷新 (PASR)
    • 深度斷電 (DPD) 模式
  • 雙倍數據傳輸率架構,可達到 166 MHz 和 200 MHz 快速時脈速率
  • 各個元件提供延伸 (-30°C 至 +85°C) 和工業 (-40°C 至 +85°C) 溫度範圍
  • 內部設定為四排:16 M x 16 位元和 32 位元;32 M 與 64 M x 16 位元;32 M 和 64 M x 32 位元
  • 提供 8 mm x 9 mm 60 焊球和 8 mm x 13 mm 90 焊球 FPBGA 封裝
  • 全同步操作
  • 可編程的讀取或寫入突發長度:2、4、8、16
  • 自動預充電功能提供自行定時列,在突發順序結束時會啟動預充電
  • 容易使用的重新整理功能,包括自動或自行重新整理
  • 符合 RoHS 指令
  • 無鉛 (Pb) 且不含鹵素

High-Speed Mobile DDR SDRAMs

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發佈日期: 2016-02-24