高速行動 DDR SDRAM
Alliance Memory 推出 AS4CxxMxxMD1 高速行動 CMOS 雙倍數據傳輸率同步 DRAM
Alliance Memory 的高速行動 CMOS 雙倍數據傳輸率同步 DRAM (DDR SDRAM) 設計能為小型可攜式裝置提升效率並延長電池續航力。此元件具有 1.7 V 至 1.95 V 的低功耗以及多項節能特點,提供 256 MB、512 MB、1 GB、2 GB 款式,採用 8 mm x 9 mm 60 焊球和 8 mm x 13 mm 90 焊球 FPBGA 封裝。AS4C16M16MD1、AS4C32M16MD1、AS4C16M32MD1、AS4C64M16MD1、AS4C32M32MD1 和 AS4C64M32MD1 提供可靠、立即可用的引腳相容替代品,適合高頻寬、高效能記憶體系統應用中多種相似的解決方案。
特點和優點 | ||
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High-Speed Mobile DDR SDRAMs
圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
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![]() | ![]() | AS4C64M16MD1-6BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | 0 - 即時供貨 | See Page for Pricing | 查看詳情 |
![]() | ![]() | AS4C16M16MD1-6BCN | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | 593 - 即時供貨 | $27.42 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | AS4C64M32MD1-5BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | 75 - 即時供貨 | $124.89 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | AS4C32M32MD1-5BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | 0 - 即時供貨 | See Page for Pricing | 查看詳情 |
![]() | ![]() | AS4C32M16MD1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | 0 - 即時供貨 | See Page for Pricing | 查看詳情 |
![]() | ![]() | AS4C64M16MD1-6BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | 0 - 即時供貨 | See Page for Pricing | 查看詳情 |
![]() | ![]() | AS4C16M32MD1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | 155 - 即時供貨 | $47.54 | 查看詳情 |