4 GB DDR4 SDRAM

Alliance Memory AS4C256M16D4A、AS4C512M8D4A 4 GB DDR4 SDRAM 提供低功耗、快速數據傳輸速率，適用於 96 球、78 球 FBGA 封裝。這些高速 SDRAM 將工作電壓從 1.5 V 降低至 1.2 V (±0.06 V)，以延長可攜式電子產品的電池續航力。AS4C256M16D4A、AS4C512M8D4A 4 GB 高速 CMOS DDR4 SDRAM 具有容易使用的重新整理功能，包括自動或自行重新整理。為了提高桌上型電腦、伺服器的效率和效能，256 Mb x 16 位元 AS4C256M16D4A、512 Mb x 8 位元 AS4C512M8D4A 提供多達 16 個記憶體條。這些 SDRAM 可用於延伸的商業 (0°C 至 +95°C)、工業 (-40°C 至 +95°C) 溫度範圍。它們非常適合工業、醫療、IoT、汽車、遊戲、消費性應用的可攜式電子產品、桌上型電腦、伺服器。

特點

• 低功耗：1.2 V (±0.06 V)
• 96 球和 78 球 FBGA 封裝
• 內部配置為 8x Bank x 256 Mb x 16 位元、16x Bank x 512 Mb x 8 位元
• 1,200 MHz 和 1,333 MHz 快速時脈速度
• 極高的傳輸速率為每引腳 2,400 Mbps、每引腳 2,666 Mbps
• 支援順序和交錯突發類型，即時讀取或寫入突發長度為 BL8/BC4/BC4 或 8
• 自動預先充電功能提供在突發序列結束時啟動的自行定時排預先充電
• 容易使用的重新整理功能，包括自動或自行重新整理
• 溫度範圍
• 延伸的商業溫度：0°C 至 +95°C
• 工業：-40°C 至 +95°C
• 符合 JEDEC 和 RoHS 指令
• 無鉛、無鹵素