單一 FET、MOSFET

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製造商零件編號
現有數量
價格
系列
包裝
產品狀態
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大值) @ Id
Vgs (最大值)
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
FET 特點
功率耗散 (最大值)
工作溫度
等級
資格
安裝類型
供應商元件封裝
封裝/外殼
5,500
庫存現貨
1 : $8.07000
切帶裝 (CT)
-
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
停產
N 通道
MOSFET (金氧)
24 V
3 A (Ta)
2.5V
20mOhm @ 3A、2.5V
1.4V @ 1mA
±12V
1500 pF @ 10 V
-
-
150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
3-PMCP
3-SMD、非標準型
0
庫存現貨
停產
-
編帶和捲軸封裝 (TR)
停產
P 通道
MOSFET (金氧)
20 V
4.4 A (Ta)
2V、4.5V
12.5mOhm @ 3.7A、4.5V
1.05V @ 1mA
±8V
3000 pF @ 10 V
-
-
150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
3-PMCP
3-SMD、非標準型
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單一 FET、MOSFET


離散場效電晶體 (FET) 廣泛用於電源轉換、馬達控制、固態照明和其他應用中。在這類應用中,此元件載流容量較大,且具備高頻開關的特性,這對此類應用相當有利。這類電晶體幾乎可通用於額定電壓需求為幾百伏特或以下的應用,若超過此電壓限值,其他元件類型 (如 IGBT) 則更具競爭力。