7-PowerWQFN 單一 FET、MOSFET

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系列
包裝
產品狀態
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大值) @ Id
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
Vgs (最大值)
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
FET 特點
功率耗散 (最大值)
工作溫度
等級
資格
安裝類型
供應商元件封裝
封裝/外殼
EPC2306ENGRT
EPC2306ENGRT
TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
EPC
3,221
庫存現貨
1 : $51.48000
切帶裝 (CT)
3,000 : $20.39625
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
100 V
48 A (Ta)
5V
3.8mOhm @ 25A、5V
2.5V @ 7mA
16.3 nC @ 5 V
+6V、-4V
2366 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
EPC2308ENGRT
EPC2308ENGRT
TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
EPC
46,416
庫存現貨
1 : $53.36000
切帶裝 (CT)
3,000 : $21.41606
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
150 V
48 A (Tc)
5V
6mOhm @ 15A、5V
2.5V @ 5mA
13.8 nC @ 5 V
+6V、-4V
2103 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
EPC2307ENGRT
EPC2307ENGRT
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
EPC
21,736
庫存現貨
1 : $60.86000
切帶裝 (CT)
3,000 : $25.49531
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
200 V
48 A (Ta)
5V
10mOhm @ 16A、10V
2.5V @ 4mA
10.6 nC @ 5 V
+6V、-4V
1401 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
EPC2305
EPC2305
TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
EPC
20,745
庫存現貨
1 : $67.23000
切帶裝 (CT)
3,000 : $29.06466
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
150 V
102A (Tj)
5V
3mOhm @ 30A、5V
2.5V @ 11mA
28.6 nC @ 5 V
+6V、-4V
4165 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
EPC2304
EPC2304
TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN
EPC
10,512
庫存現貨
1 : $68.94000
切帶裝 (CT)
3,000 : $30.08447
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
200 V
102A (Ta)
5V
3.1mOhm @ 32A、5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V、-4V
3195 pF @ 100 V
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
EPC2306
EPC2306
TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
EPC
43,663
庫存現貨
1 : $41.53000
切帶裝 (CT)
3,000 : $15.29719
編帶和捲軸封裝 (TR)
-
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
100 V
48 A (Ta)
5V
3.8mOhm @ 25A、5V
2.5V @ 7mA
16.3 nC @ 5 V
+6V、-4V
2366 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
EPC2307
EPC2307
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
EPC
1,727
庫存現貨
1 : $41.53000
切帶裝 (CT)
3,000 : $15.29719
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
200 V
48 A (Ta)
5V
10mOhm @ 16A、5V
2.5V @ 4mA
10.6 nC @ 5 V
+6V、-4V
1401 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
EPC2308
EPC2308
TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
EPC
10,623
庫存現貨
1 : $42.59000
切帶裝 (CT)
3,000 : $15.80709
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
150 V
48 A (Ta)
5V
6mOhm @ 15A、5V
2.5V @ 5mA
13.8 nC @ 5 V
+6V、-4V
2103 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
0
庫存現貨
查看前置時間
1 : $65.43000
切帶裝 (CT)
3,000 : $29.94180
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
100 V
101A (Ta)
5V
1.8mOhm @ 50A、5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V、-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
EPC2302
EPC2302ENGRT
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
0
庫存現貨
1 : $64.29000
切帶裝 (CT)
12,000 : $33.34787
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
停產
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
100 V
101A (Ta)
5V
1.8mOhm @ 50A、5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V、-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
EPC2305ENGRT
EPC2305ENGRT
TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
EPC
10
庫存現貨
1 : $75.06000
切帶裝 (CT)
3,000 : $33.65381
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
Digi-Key 停止供應
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
150 V
102A (Tj)
5V
3mOhm @ 30A、5V
2.5V @ 11mA
28.6 nC @ 5 V
+6V、-4V
4165 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
EPC
0
庫存現貨
查看前置時間
有源
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
200 V
102A (Ta)
5V
3.1mOhm @ 32A、5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V、-4V
3195 pF @ 100 V
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
7-QFN (3x5)
7-PowerWQFN
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7-PowerWQFN 單一 FET、MOSFET


離散場效電晶體 (FET) 廣泛用於電源轉換、馬達控制、固態照明和其他應用中。在這類應用中,此元件載流容量較大,且具備高頻開關的特性,這對此類應用相當有利。這類電晶體幾乎可通用於額定電壓需求為幾百伏特或以下的應用,若超過此電壓限值,其他元件類型 (如 IGBT) 則更具競爭力。