單一 FET、MOSFET

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系列
包裝
產品狀態
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大值) @ Id
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
Vgs (最大值)
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
FET 特點
功率耗散 (最大值)
工作溫度
等級
資格
安裝類型
供應商元件封裝
封裝/外殼
AO3422
AO3422
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
648,048
庫存現貨
1 : $4.41000
切帶裝 (CT)
3,000 : $0.97709
編帶和捲軸封裝 (TR)
-
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
55 V
2.1 A (Ta)
2.5V、4.5V
160mOhm @ 2.1A、4.5V
2V @ 250µA
3.3 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 25 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
表面黏著式
SOT-23-3
3-SMD、SOT-23-3 變體
EPC2069
EPC2069
GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
EPC
12,690
庫存現貨
1 : $35.16000
切帶裝 (CT)
1,000 : $12.23775
編帶和捲軸封裝 (TR)
-
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
GaNFET (氮化鎵)
40 V
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+6V、-4V
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單一 FET、MOSFET


離散場效電晶體 (FET) 廣泛用於電源轉換、馬達控制、固態照明和其他應用中。在這類應用中,此元件載流容量較大,且具備高頻開關的特性,這對此類應用相當有利。這類電晶體幾乎可通用於額定電壓需求為幾百伏特或以下的應用,若超過此電壓限值,其他元件類型 (如 IGBT) 則更具競爭力。