Name: TK9J90E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9J90ES1E-ND
Price: 32.47 HKD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

TK9J90E,S1E
DigiKey 零件編號	TK9J90ES1E-ND
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TK9J90E,S1E
說明	MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 900 V 9 A (Ta) 250W (Tc) 通孔式 TO-3P (N)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	TK9J90E,S1E 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包裝	管裝
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	900 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	9 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	1.3Ohm @ 4.5A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 900µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±30V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	2000 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	250W (Tc)
工作溫度	150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	通孔式
供應商元件封裝	TO-3P (N)
封裝／外殼	TO-3P-3、SC-65-3
基礎產品編號	TK9J90