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P 通道 MOSFET

Vishay 的 P 通道 MOSFET 具有每單位面積最低導通電阻,能達到最小的 PCB

Vishay Siliconix 的 P 通道 MOSFET 圖片 Vishay Siliconix 的 P 通道 TrenchFET® 第三代和第四代 MOSFET 為每單位面積最低導通電阻的 P 通道 MOSFET;達到業界前一代最佳元件的一半。

  • 每單位面積最低導通電阻能達到最小的 PCB
  • 更低的壓降能提升效率和電池使用時間
  • 雙通道元件在典型電池充電器設計中,可減少元件數量

提供多種封裝尺寸和導通電阻額定值,因此 Vishay 的 P 通道 TrenchFET 第三代和第四代 MOSFET 可接受寬廣範圍的應用。此外,低導通電阻能達到低導通損耗,能節省能源並延長電池每次充電後的使用時間。

資源:P 通道 MOSFET 扼要說明

特點
  • 達到每單位面積最低導通電阻的 P 通道 MOSFET,是業界前一代最佳元件的一半
  • 低至 2 mΩ 以下,採用 SO-8 覆蓋區
  • 低導通損耗,可在電池供電式系統中節省電力
  • 多種封裝尺寸,從 PowerPAK® SO-8 至 1.6 mm x 1.6 mm 的 PowerPAK SC-75 和 0.8 mm x 0.8 mm 的晶片級 MICRO FOOT®
應用
  • 電池供電式設備
  • 筆記型電腦/平板裝置
  • 電玩主機
  • 消費性電子
  • 穿戴式

P-Channel MOSFETs

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發佈日期: 2018-04-24