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產品索引 > 離散式半導體產品 > 電晶體 - FET、MOSFET - 陣列 > Vishay Siliconix SQJ560EP-T1_GE3
SQJ560EP-T1_GE3 Vishay Siliconix | SQJ560EP-T1_GE3CT-ND DigiKey Electronics

SQJ560EP-T1_GE3 MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 60V 30 A (Tc)、18 A (Tc) 34W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8 雙
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SQJ560EP-T1_GE3

規格書
Digi-Key零件編號 SQJ560EP-T1_GE3CT-ND
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製造商

Vishay Siliconix

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製造商零件編號 SQJ560EP-T1_GE3
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說明 MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
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製造商的標準前置時間 20 週
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MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 60V 30 A (Tc)、18 A (Tc) 34W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8 雙

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規格書 SQJ560EP
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類別 離散式半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 陣列
製造商 Vishay Siliconix
系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 和 P 通道
FET 特點 標準
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 30 A (Tc)、18 A (Tc)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 12mOhm @ 10A、10V、52.6mOhm @ 10A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 30nC @ 10V、45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1650pF @ 25V
功率 - 最大值 34W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝／外殼 PowerPAK® SO-8 雙
供應商元件封裝 PowerPAK® SO-8 雙
基本零件編號 SQJ560
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 SQJ560EP-T1_GE3CT