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產品索引 > 離散式半導體產品 > 電晶體 - FET、MOSFET - 單一 > Vishay Siliconix SQ2308CES-T1_GE3
SQ2308CES-T1_GE3 Vishay Siliconix | SQ2308CES-T1_GE3CT-ND DigiKey Electronics


SQ2308CES-T1_GE3 N 通道 60V 2.3 A (Tc) 2W (Tc) 表面黏著式 SOT-23 (TO-236AB)
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10 4.02100 HK$40.21
25 3.76080 HK$94.02
100 2.79360 HK$279.36
500 2.18132 HK$1,090.66
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SQ2308CES-T1_GE3

規格書
Digi-Key零件編號 SQ2308CES-T1_GE3CT-ND
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製造商

Vishay Siliconix

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製造商零件編號 SQ2308CES-T1_GE3
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說明 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
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製造商的標準前置時間 12 週
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N 通道 60V 2.3 A (Tc) 2W (Tc) 表面黏著式 SOT-23 (TO-236AB)

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 SQ2308CES
PCN 零件編號 New Ordering Code 19/Mar/2015
HTML 規格書 SQ2308CES
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別 離散式半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 單一
製造商 Vishay Siliconix
系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 2.3 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 150mOhm @ 2.3A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5.3nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 205pF @ 30V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 2W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SOT-23 (TO-236AB)
封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基本零件編號 SQ2308
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 SQ2308CES-T1_GE3CT