HKD | USD
喜愛項目

SI4435FDY-T1-GE3 P 通道 30V 12.6 A (Tc) 4.8W (Tc) 表面黏著式 8-SOIC
價格與採購
16,555 庫存現貨
可立即發貨
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 4.14000 HK$4.14
10 3.22700 HK$32.27
25 3.08160 HK$77.04
100 1.93450 HK$193.45
500 1.79088 HK$895.44
1,000 1.21779 HK$1,217.79

送出報價請求,瞭解超過顯示數量時的價格。

計算 Digi-Reel® 價格
數量 單價 總價

每訂購一卷,會收取 HK$55.00 的捲帶費。

其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : SI4435FDY-T1-GE3TR-ND
  • 最低訂購數量為: 2,500
  • 現有數量: 15,000 - 即時供貨
  • 單價: HK$1.12108
  • 絕緣帶封裝 (CT)  : SI4435FDY-T1-GE3CT-ND
  • 最低訂購數量為: 1
  • 現有數量: 16,555 - 即時供貨
  • 單價: HK$4.14000

SI4435FDY-T1-GE3

規格書
Digi-Key零件編號 SI4435FDY-T1-GE3DKR-ND
複製  
製造商

Vishay Siliconix

複製  
製造商零件編號 SI4435FDY-T1-GE3
複製  
說明 MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
複製  
製造商的標準前置時間 8 週
完整說明

P 通道 30V 12.6 A (Tc) 4.8W (Tc) 表面黏著式 8-SOIC

複製  
客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 SI4435FDY
特色產品 P-Channel MOSFETs
HTML 規格書 SI4435FDY
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET® Gen III
封裝 Digi-Reel® 
零件狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 12.6 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 19mOhm @ 9A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.2V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 42nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1500pF @ 15V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 4.8W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
基本零件編號 SI4435
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
您可能會對以下項目感興趣

TSX-3225 25.0000MF10P-C0

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

EPSON

HK$2.79000 詳情

LMZM23600V3SILT

DC DC CONVERTER 3.3V

Texas Instruments

HK$45.62000 詳情

LIS3DHTR

ACCEL 2-16G I2C/SPI 16LGA

STMicroelectronics

HK$12.50000 詳情

SSM3J328R,LF

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

Toshiba Semiconductor and Storage

HK$3.29000 詳情

EVQ-Q2P02W

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V

Panasonic Electronic Components

HK$2.37000 詳情

AO4407A

MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

HK$4.73000 詳情
其他資源
標準包裝 1
其他名稱 SI4435FDY-T1-GE3DKR