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SI4435FDY-T1-GE3 P 通道 30V 12.6 A (Tc) 4.8W (Tc) 表面黏著式 8-SOIC
價格與採購
0
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 4.32000 $4.32
10 3.50600 $35.06
25 3.20480 $80.12
100 2.38500 $238.50
500 1.78872 $894.36
1,000 1.34154 $1,341.54

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : SI4435FDY-T1-GE3TR-ND
  • 最低訂購數量為: 2,500
  • 現有數量: 0
  • 單價: HK$1.22974

SI4435FDY-T1-GE3

規格書
Digi-Key零件編號 SI4435FDY-T1-GE3CT-ND
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製造商

Vishay Siliconix

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製造商零件編號 SI4435FDY-T1-GE3
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說明 MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
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製造商的標準前置時間 8 週
完整說明

P 通道 30V 12.6 A (Tc) 4.8W (Tc) 表面黏著式 8-SOIC

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 SI4435FDY
特色產品 P-Channel MOSFETs
HTML 規格書 SI4435FDY
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET® Gen III
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 12.6 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 19mOhm @ 9A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.2V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 42nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1500pF @ 15V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 4.8W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
基本零件編號 SI4435
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 SI4435FDY-T1-GE3CT