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SI4435DDY-T1-GE3 P 通道 30V 11.4 A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 表面黏著式 8-SO
價格與採購
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 7.27000 HK$7.27
10 6.33200 HK$63.32
100 4.88660 HK$488.66
500 3.61992 HK$1,809.96
1,000 2.89595 HK$2,895.95

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產品概述
Digi-Key零件編號 SI4435DDY-T1-GE3CT-ND
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現有數量 22,229
可立即發貨
製造商

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製造商零件編號

SI4435DDY-T1-GE3

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說明 MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
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完整說明

P 通道 30V 11.4 A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 表面黏著式 8-SO

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文件與媒體
規格書 Si4435DDY
視頻檔案 MOSFET Technologies for Power Conversion
EDA / CAD 模型 ? 從 Ultra Librarian 下載
產品目錄頁面 1695 (HK2011-ZH PDF)
產品屬性 選取所有項目
類別
製造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
零件狀態 有效
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 11.4 A (Tc)
驅動電壓 (最大 Rds On、最小 Rds On) 4.5V、10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs 24mOhm @ 9.1A、10V
Vgs(th)(最大值)@ Id 3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 50nC @ 10V
Vgs (最大) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds 1350pF @ 15V
FET 特點 -
功率耗散(最大值) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
 
環境和出口規範分類
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 無鉛 / 符合 RoHS 指令
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 ? 1
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13:16:56 5/23/2019