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SI2369DS-T1-GE3 P 通道 30V 7.6 A (Tc) 1.25W (Ta)、2.5W (Tc) 表面黏著式 TO-236
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SI2369DS-T1-GE3

規格書
Digi-Key零件編號 SI2369DS-T1-GE3CT-ND
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製造商

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製造商零件編號 SI2369DS-T1-GE3
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說明 MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
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P 通道 30V 7.6 A (Tc) 1.25W (Ta)、2.5W (Tc) 表面黏著式 TO-236

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 SI2369DS
視頻檔案 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 組裝地/原產地 Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
HTML 規格書 SI2369DS
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 7.6 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 29mOhm @ 5.4A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1295pF @ 15V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 1.25W (Ta)、2.5W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 TO-236
封裝/外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基本零件編號 SI2369
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 SI2369DS-T1-GE3CT