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100 3.06250 $306.25
500 2.40612 $1,203.06
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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : SI2308BDS-T1-GE3TR-ND
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SI2308BDS-T1-GE3

Digi-Key零件編號 SI2308BDS-T1-GE3CT-ND
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製造商

Vishay Siliconix

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製造商零件編號 SI2308BDS-T1-GE3
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說明 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
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製造商的標準前置時間 19 週
完整說明

N 通道 60V 2.3 A (Tc) 1.09W (Ta)、1.66W (Tc) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)

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EDA / CAD 模型 SI2308BDS-T1-GE3 by Ultra Librarian
產品屬性
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類別
製造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 2.3 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 156mOhm @ 1.9A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6.8nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 190pF @ 30V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 1.09W (Ta)、1.66W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
封裝/外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基本零件編號 SI2308
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 SI2308BDS-T1-GE3CT