HKD | USD
喜愛項目

SI2308BDS-T1-E3 N 通道 60V 2.3 A (Tc) 1.09W (Ta)、1.66W (Tc) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)
價格與採購
26,001 庫存現貨
可立即發貨
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 3.97000 HK$3.97
10 3.37900 HK$33.79
25 3.15600 HK$78.90
100 2.34330 HK$234.33
500 1.82972 HK$914.86
1,000 1.48727 HK$1,487.27

送出報價請求,瞭解超過顯示數量時的價格。

其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : SI2308BDS-T1-E3TR-ND
  • 最低訂購數量為: 3,000
  • 現有數量: 24,000 - 即時供貨
  • 單價: HK$1.39710
  • Digi-Reel®  : SI2308BDS-T1-E3DKR-ND
  • 最低訂購數量為: 1
  • 現有數量: 26,001 - 即時供貨
  • 單價: Digi-Reel®

SI2308BDS-T1-E3

規格書
Digi-Key零件編號 SI2308BDS-T1-E3CT-ND
複製  
製造商

複製  
製造商零件編號 SI2308BDS-T1-E3
複製  
說明 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
複製  
製造商的標準前置時間 14 週
完整說明

N 通道 60V 2.3 A (Tc) 1.09W (Ta)、1.66W (Tc) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)

複製  
客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 SI2308BDS
視頻檔案 MOSFET Technologies for Power Conversion
HTML 規格書 SI2308BDS
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 2.3 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 156mOhm @ 1.9A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6.8nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 190pF @ 30V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 1.09W (Ta)、1.66W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
封裝/外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基本零件編號 SI2308
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
您可能會對以下項目感興趣

SN74LVC1G32DBVR

IC GATE OR 1CH 2-INP SOT23-5

Texas Instruments

HK$2.45000 詳情

SI2309CDS-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Vishay Siliconix

HK$4.48000 詳情

SI2308BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Vishay Siliconix

HK$3.97000 詳情

DLW5BTH142TQ2L

COMMON MODE CHOKE

Murata Electronics

HK$12.16000 詳情

61201621621

CONN HEADER VERT 16POS 2.54MM

Würth Elektronik

HK$4.98000 詳情

IRLML0060TRPBF

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23-3

Infineon Technologies

HK$3.80000 詳情
其他資源
標準包裝 1
其他名稱 SI2308BDS-T1-E3CT