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產品索引 > 離散式半導體產品 > 電晶體 - FET、MOSFET - 單一 > Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-GE3
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix | SI2301CDS-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics


SI2301CDS-T1-GE3 P 通道 20V 3.1 A (Tc) 860mW (Ta)、1.6W (Tc) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)
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SI2301CDS-T1-GE3

規格書
Digi-Key零件編號 SI2301CDS-T1-GE3CT-ND
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製造商

Vishay Siliconix

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製造商零件編號 SI2301CDS-T1-GE3
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說明 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
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製造商的標準前置時間 19 週
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P 通道 20V 3.1 A (Tc) 860mW (Ta)、1.6W (Tc) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 SI2301CDS
PCN 組裝地／原產地 Mult Dev Mfg/Test Qual 11/Sep/2019
HTML 規格書 SI2301CDS
EDA / CAD 模型 SI2301CDS-T1-GE3 by Ultra Librarian
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別 離散式半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 單一
製造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 3.1 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 2.5V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 112mOhm @ 2.8A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (最大值) ±8V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 405pF @ 10V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 860mW (Ta)、1.6W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基本零件編號 SI2301
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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標準包裝 1
其他名稱 SI2301CDS-T1-GE3CT