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SI1050X-T1-GE3 N 通道 8V 1.34 A (Ta) 236mW (Ta) 表面黏著式 SC-89-6
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10 3.48900 HK$34.89
25 3.25400 HK$81.35
100 2.41600 HK$241.60
500 1.88632 HK$943.16
1,000 1.53322 HK$1,533.22

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其他包裝
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SI1050X-T1-GE3

規格書
Digi-Key零件編號 SI1050X-T1-GE3CT-ND
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製造商

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製造商零件編號 SI1050X-T1-GE3
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說明 MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
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N 通道 8V 1.34 A (Ta) 236mW (Ta) 表面黏著式 SC-89-6

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 SI1050X
視頻檔案 MOSFET Technologies for Power Conversion
HTML 規格書 SI1050X
EDA / CAD 模型 SI1050X-T1-GE3 by Ultra Librarian
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 8V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 1.34 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 1.5V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 86mOhm @ 1.34A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 900mV @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 11.6nC @ 5V
Vgs (最大值) ±5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 585pF @ 4V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 236mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SC-89-6
封裝/外殼 SOT-563、SOT-666
基本零件編號 SI1050
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 SI1050X-T1-GE3CT