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產品索引 > 離散式半導體產品 > 電晶體 - FET、MOSFET - 單一 > Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R506PL,L1Q
TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage | TPH2R506PLL1QCT-ND DigiKey Electronics

TPH2R506PL,L1Q N 通道 60V 100 A (Tc) 132W (Tc) 表面黏著式 8-SOP Advance (5x5)
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價格分段 單價 總價
1 11.91000 HK$11.91
10 9.76500 HK$97.65
25 9.58280 HK$239.57
100 7.59260 HK$759.26
500 6.43564 HK$3,217.82
1,000 5.24252 HK$5,242.52
2,500 4.93520 HK$12,338.00

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : TPH2R506PLL1QTR-ND
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  • 單價: Digi-Reel®

TPH2R506PL,L1Q

規格書
Digi-Key零件編號 TPH2R506PLL1QCT-ND
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製造商

Toshiba Semiconductor and Storage

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製造商零件編號 TPH2R506PL,L1Q
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說明 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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製造商的標準前置時間 12 週
完整說明

N 通道 60V 100 A (Tc) 132W (Tc) 表面黏著式 8-SOP Advance (5x5)

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客戶參考號碼
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規格書 TPH2R506PL
特色產品 Ultra-High-Efficiency U-MOS IX-H MOSFETs
Server Solutions
EDA / CAD 模型 TPH2R506PL by Ultra Librarian
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別 離散式半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 單一
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 U-MOSIX-H
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 100 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 4.4mOhm @ 30A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 500µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 60nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 5435pF @ 30V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 132W (Tc)
工作溫度 175°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 8-SOP Advance (5x5)
封裝／外殼 8-PowerVDFN
基本零件編號 TLP631
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 符合 RoHS 指令
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 TPH2R506PLL1QCT