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NTZD3154NT1G MOSFET - 陣列 2 N-通道 (雙) 20V 540mA 250mW 表面黏著式 SOT-563
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價格分段 單價 總價
1 3.64000 $3.64
10 2.69800 $26.98
25 2.35840 $58.96
100 1.52590 $152.59
500 1.01044 $505.22
1,000 0.77470 $774.70

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : NTZD3154NT1GOSTR-ND
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  • 單價: HK$0.67363
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : NTZD3154NT5GOSTR-ND
  • 最低訂購數量為: 8,000
  • 現有數量: 0
  • 單價: HK$0.72685
  • 絕緣帶封裝 (CT)  : NTZD3154NT5GOSCT-ND
  • 最低訂購數量為: 1
  • 現有數量: 0
  • 單價: HK$4.31000

NTZD3154NT1G

規格書
Digi-Key零件編號 NTZD3154NT1GOSCT-ND
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製造商

ON Semiconductor

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製造商零件編號 NTZD3154NT1G
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說明 MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
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製造商的標準前置時間 52 週
完整說明

MOSFET - 陣列 2 N-通道 (雙) 20V 540mA 250mW 表面黏著式 SOT-563

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 NTZD3154N
RoHS指令資訊 Material Declaration NTZD3154NT1G
PCN 組裝地/原產地 Mult Dev 24/Apr/2020
PCN 包裝 Carrier Tape 15/Aug/2017
Mult Devices 27/Oct/2017
HTML 規格書 NTZD3154N
EDA / CAD 模型 NTZD3154NT1G by Ultra Librarian
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 ON Semiconductor
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 2 N-通道 (雙)
FET 特點 標準
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 540mA
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 550mOhm @ 540mA、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 150pF @ 16V
功率 - 最大值 250mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 SOT-563、SOT-666
供應商元件封裝 SOT-563
基本零件編號 NTZD3154
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 NTZD3154NT1GOSCT