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產品索引 > 離散式半導體產品 > 電晶體 - FET、MOSFET - 陣列 > ON Semiconductor NTZD3152PT1G
NTZD3152PT1G ON Semiconductor | NTZD3152PT1GOSCT-ND DigiKey Electronics

NTZD3152PT1G MOSFET - 陣列 2 P 通道 (雙) 20V 430mA 250mW 表面黏著式 SOT-563
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10 2.43300 HK$24.33
25 2.32800 HK$58.20
100 1.22740 HK$122.74
500 1.08770 HK$543.85
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NTZD3152PT1G

規格書
Digi-Key零件編號 NTZD3152PT1GOSCT-ND
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製造商

ON Semiconductor

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製造商零件編號 NTZD3152PT1G
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說明 MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
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製造商的標準前置時間 12 週
完整說明

MOSFET - 陣列 2 P 通道 (雙) 20V 430mA 250mW 表面黏著式 SOT-563

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 NTZD3152P
RoHS指令資訊 Material Declaration NTZD3152PT1G
PCN 組裝地／原產地 Mult Dev 24/Apr/2020
PCN 包裝 Carrier Tape 15/Aug/2017
Mult Devices 27/Oct/2017
HTML 規格書 NTZD3152P
EDA / CAD 模型 NTZD3152PT1G by Ultra Librarian
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別 離散式半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 陣列
製造商 ON Semiconductor
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 2 P 通道 (雙)
FET 特點 標準
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 430mA
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 900mOhm @ 430mA、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 175pF @ 16V
功率 - 最大值 250mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝／外殼 SOT-563、SOT-666
供應商元件封裝 SOT-563
基本零件編號 NTZD3152
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 NTZD3152PT1GOSCT