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NTR1P02T1G

規格書
Digi-Key零件編號 NTR1P02T1GOSCT-ND
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製造商

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製造商零件編號 NTR1P02T1G
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說明 MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
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製造商的標準前置時間 15 週
完整說明

P 通道 20V 1 A (Ta) 400mW (Ta) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 N(T,V)R1P02
RoHS指令資訊 Material Declaration NTR1P02T1G
PCN 設計/規格 Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
PCN 組裝地/原產地 Mold Compound 07/Sep/2019
HTML 規格書 N(T,V)R1P02
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 ON Semiconductor
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 1 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 180mOhm @ 1.5A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 165pF @ 5V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 400mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
封裝/外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基本零件編號 NTR1P0
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 NTR1P02T1GOS
NTR1P02T1GOS-ND
NTR1P02T1GOSCT