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NTJD1155LT1G MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 8V 1.3A 400mW 表面黏著式 SC-88/SC70-6/SOT-363
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NTJD1155LT1G

規格書
Digi-Key零件編號 NTJD1155LT1GOSCT-ND
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製造商

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製造商零件編號 NTJD1155LT1G
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說明 MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
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製造商的標準前置時間 8 週
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MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 8V 1.3A 400mW 表面黏著式 SC-88/SC70-6/SOT-363

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 NTJD1155L
RoHS指令資訊 Material Declaration NTJD1155LT1G
PCN 組裝地/原產地 Mult Dev Assembly/Material Chg 1/Apr/2020
HTML 規格書 NTJD1155L
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 ON Semiconductor
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 和 P 通道
FET 特點 標準
汲極至源極電壓 (Vdss) 8V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 1.3A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 175mOhm @ 1.2A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs -
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds -
功率 - 最大值 400mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
供應商元件封裝 SC-88/SC70-6/SOT-363
基本零件編號 NTJD11
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 NTJD1155LT1GOSCT