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MJD32CT4G 電晶體 - 雙極 (BJT) - 單 PNP 100V 3A 3MHz 1.56W 表面黏著式 DPAK
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MJD32CT4G

規格書
Digi-Key零件編號 MJD32CT4GOSCT-ND
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製造商

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製造商零件編號 MJD32CT4G
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說明 TRANS PNP 100V 3A DPAK
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電晶體 - 雙極 (BJT) - 單 PNP 100V 3A 3MHz 1.56W 表面黏著式 DPAK

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 MJD31 (NPN), MJD32 (PNP)
RoHS指令資訊 Material Declaration MJD32CT4G
PCN 組裝地/原產地 Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
HTML 規格書 MJD31 (NPN), MJD32 (PNP)
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 ON Semiconductor
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
電晶體類型 PNP
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 3A
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 100V
Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 1.2V @ 375mA、3A
電流 - 集極截止 (最大值) 50µA
DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 10 @ 3A、4V
功率 - 最大值 1.56W
頻率 - 轉換 3MHz
工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 TO-252-3、DPak (2 引線 + 接頭)、SC-63
供應商元件封裝 DPAK
基本零件編號 MJD32
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 MJD32CT4GOSCT