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產品索引 > 離散式半導體產品 > 電晶體 - FET、MOSFET - 單一 > ON Semiconductor FDN5630
FDN5630 ON Semiconductor | FDN5630CT-ND DigiKey Electronics

FDN5630 N 通道 60V 1.7 A (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 SuperSOT-3
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價格分段 單價 總價
1 3.89000 HK$3.89
10 3.03300 HK$30.33
25 2.89920 HK$72.48
100 1.82040 HK$182.04
500 1.68528 HK$842.64
1,000 1.41563 HK$1,415.63

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其他包裝
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FDN5630

規格書
Digi-Key零件編號 FDN5630CT-ND
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製造商

ON Semiconductor

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製造商零件編號 FDN5630
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說明 MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
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製造商的標準前置時間 16 週
完整說明

N 通道 60V 1.7 A (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 SuperSOT-3

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 FDN5630
RoHS指令資訊 Material Declaration FDN5630
PCN 設計／規格 Data Sheet Rev 01/Sep/2015
Logo 17/Aug/2017
PCN 組裝地／原產地 SSOT3 Assembly/Test Chg 7/Jul/2020
PCN 包裝 Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
PCN 零件編號 Orderable Part Number Update 23/Nov/2016
EDA / CAD 模型 FDN5630 by SnapEDA
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別 離散式半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 單一
製造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 1.7 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 6V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 100mOhm @ 1.7A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 400pF @ 15V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 500mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SuperSOT-3
封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基本零件編號 FDN563
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 FDN5630CT
FDN5630_F095CT
FDN5630_F095CT-ND