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FDN306P ON Semiconductor | FDN306PCT-ND DigiKey Electronics

FDN306P P 通道 12V 2.6 A (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 SuperSOT-3
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100 1.78580 $178.58
500 1.65368 $826.84
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FDN306P

規格書
Digi-Key零件編號 FDN306PCT-ND
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製造商

ON Semiconductor

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製造商零件編號 FDN306P
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說明 MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
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製造商的標準前置時間 14 週
完整說明

P 通道 12V 2.6 A (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 SuperSOT-3

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 FDN306P Datasheet
RoHS指令資訊 Material Declaration FDN306P
PCN 設計／規格 Wire Bonding 07/Nov/2008
Logo 17/Aug/2017
PCN 組裝地／原產地 Mult Dev 08/Jul/2020
PCN 包裝 Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
PCN 零件編號 Orderable Part Number Update 23/Nov/2016
EDA / CAD 模型 FDN306P by SnapEDA
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別 離散式半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 單一
製造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 12V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 2.6 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 1.8V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 40mOhm @ 2.6A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Vgs (最大值) ±8V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1138pF @ 6V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 500mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SuperSOT-3
封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基本零件編號 FDN306
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 FDN306PCT
FDN306P_F095CT
FDN306P_F095CT-ND