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產品索引 > 離散式半導體產品 > 電晶體 - FET、MOSFET - 陣列 > ON Semiconductor FDG6332C-F085
FDG6332C-F085 ON Semiconductor | FDG6332C-F085FSCT-ND DigiKey Electronics


FDG6332C-F085 MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 20V 700mA、600mA 300mW 表面黏著式 SC-88 (SC-70-6)
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100 1.81110 HK$181.11
500 1.67682 HK$838.41
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FDG6332C-F085

規格書
Digi-Key零件編號 FDG6332C-F085FSCT-ND
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製造商

ON Semiconductor

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製造商零件編號 FDG6332C-F085
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說明 MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
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製造商的標準前置時間 42 週
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MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 20V 700mA、600mA 300mW 表面黏著式 SC-88 (SC-70-6)

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 FDG6332C-F085
RoHS指令資訊 Material Declaration FDG6332C-F085
PCN 設計／規格 Logo 17/Aug/2017
PCN 組裝地／原產地 Cancellation 09/Sep/2020
PCN 包裝 Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
PCN 零件編號 Mult Device Part Number Chg 30/May/2017
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別 離散式半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 陣列
製造商 ON Semiconductor
系列 Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 和 P 通道
FET 特點 邏輯電平閘極
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 700mA、600mA
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 300mOhm @ 700mA、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 113pF @ 10V
功率 - 最大值 300mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝／外殼 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
供應商元件封裝 SC-88 (SC-70-6)
基本零件編號 FDG6332
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 FDG6332C-F085FSCT
FDG6332C_F085CT
FDG6332C_F085CT-ND
FDG6332C_F085FSCT
FDG6332C_F085FSCT-ND