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BSP52T1G 電晶體 - 雙極 (BJT) - 單 NPN - 達靈頓 80V 1A 800mW 表面黏著式 SOT-223
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BSP52T1G

規格書
Digi-Key零件編號 BSP52T1GOSCT-ND
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製造商

ON Semiconductor

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製造商零件編號 BSP52T1G
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說明 TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
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製造商的標準前置時間 39 週
完整說明

電晶體 - 雙極 (BJT) - 單 NPN - 達靈頓 80V 1A 800mW 表面黏著式 SOT-223

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 BSP52T1,T3
RoHS指令資訊 Material Declaration BSP52T1G
PCN 設計/規格 Datasheet MSL Updated 2/April/2007
Wire Bond 01/Dec/2010
PCN 包裝 Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
HTML 規格書 BSP52T1,T3
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 ON Semiconductor
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
電晶體類型 NPN - 達靈頓
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 1A
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 80V
Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 1.3V @ 500µA、500mA
電流 - 集極截止 (最大值) 10µA
DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 2000 @ 500mA、10V
功率 - 最大值 800mW
頻率 - 轉換 -
工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 TO-261-4、TO-261AA
供應商元件封裝 SOT-223
基本零件編號 BSP52
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 BSP52T1GOSCT