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BC846BDW1T1G Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (雙) 65V 100mA 100MHz 380mW 表面黏著式 SC-88/SC70-6/SOT-363
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BC846BDW1T1G

規格書
Digi-Key零件編號 BC846BDW1T1GOSDKR-ND
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製造商

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製造商零件編號 BC846BDW1T1G
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說明 TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363
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完整說明

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (雙) 65V 100mA 100MHz 380mW 表面黏著式 SC-88/SC70-6/SOT-363

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文件與媒體
規格書 BC84(6, 7)BDW1T1, BC848CDW1T1
RoHS指令資訊 Material Declaration BC846BDW1T1G
PCN 設計/規格 Copper Wire 08/Jun/2009
PCN 組裝地/原產地 Wafer Source Addition 26/Nov/2014
產品屬性
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類別
製造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態 有源
電晶體類型 2 NPN (雙)
電流 - 集極 (Ic)(最大) 100mA
電壓 - 集極射極崩潰(最大) 65V
Vce 飽和(最大值)@ Ib、Ic 600mV @ 5mA、100mA
電流 - 集極臨界(最大值) 15 nA (ICBO)
DC 電流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce 200 @ 2mA、5V
功率 - 最大 380mW
頻率 - 過渡 100MHz
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
供應商元件封裝 SC-88/SC70-6/SOT-363
基本零件編號 BC846BD
 
環境和出口規範分類
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 無鉛 / ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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標準包裝 1
其他名稱 BC846BDW1T1GOSDKR