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產品索引 > 離散式半導體產品 > 電晶體 - FET、MOSFET - 單一 > Nexperia USA Inc. NX2301P,215
NX2301P,215 Nexperia USA Inc. | 1727-1148-1-ND DigiKey Electronics

NX2301P,215 P 通道 20V 2 A (Ta) 400mW (Ta)、2.8W (Tc) 表面黏著式 TO-236AB
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1 3.29000 HK$3.29
10 2.28100 HK$22.81
25 2.12200 HK$53.05
100 1.15220 HK$115.22
500 0.94004 HK$470.02
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NX2301P,215

規格書
Digi-Key零件編號 1727-1148-1-ND
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製造商

Nexperia USA Inc.

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製造商零件編號 NX2301P,215
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說明 MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
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製造商的標準前置時間 4 週
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P 通道 20V 2 A (Ta) 400mW (Ta)、2.8W (Tc) 表面黏著式 TO-236AB

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 Nx2301P215 Datasheet
PCN 設計／規格 Resin Hardener 02/Jul/2013
PCN 包裝 Logo 10/Dec/2016
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別 離散式半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 單一
製造商 Nexperia USA Inc.
系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 2 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 2.5V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 120mOhm @ 1A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1.1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Vgs (最大值) ±8V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 380pF @ 6V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 400mW (Ta)、2.8W (Tc)
工作溫度 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 TO-236AB
封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 1727-1148-1
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568-10314-1-ND