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產品索引 > 離散式半導體產品 > 電晶體 - FET、MOSFET - 單一 > Nexperia USA Inc. 2N7002P,215
2N7002P,215 Nexperia USA Inc. | 1727-4692-1-ND DigiKey Electronics

2N7002P,215 N 通道 60V 360mA (Ta) 350mW (Ta) 表面黏著式 TO-236AB
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2N7002P,215

規格書
Digi-Key零件編號 1727-4692-1-ND
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製造商

Nexperia USA Inc.

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製造商零件編號 2N7002P,215
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說明 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
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N 通道 60V 360mA (Ta) 350mW (Ta) 表面黏著式 TO-236AB

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 2N7002P Datasheet
Discrete Semiconductor Selection Guide
PCN 設計／規格 Resin Hardener 02/Jul/2013
PCN 包裝 Pack/Label Update 30/Nov/2016
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
HTML 規格書 2N7002P Datasheet
Discrete Semiconductor Selection Guide
EDA / CAD 模型 2N7002P,215 by SnapEDA
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別 離散式半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 單一
製造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 360mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 1.6Ohm @ 500mA、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 50pF @ 10V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 350mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 TO-236AB
封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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