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IRLML6302TRPBF P 通道 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) 表面黏著式 Micro3™/SOT-23
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10 2.38200 HK$23.82
25 2.17960 HK$54.49
100 1.36850 HK$136.85
500 1.26712 HK$633.56
1,000 0.86165 HK$861.65

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其他包裝
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IRLML6302TRPBF

規格書
Digi-Key零件編號 IRLML6302PBFCT-ND
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製造商

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製造商零件編號 IRLML6302TRPBF
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說明 MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
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製造商的標準前置時間 16 週
完整說明

P 通道 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) 表面黏著式 Micro3™/SOT-23

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客戶參考號碼
產品屬性
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類別
製造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 780mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 2.7V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 600mOhm @ 610mA、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 3.6nC @ 4.45V
Vgs (最大值) ±12V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 97pF @ 15V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 540mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 Micro3™/SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 *IRLML6302TRPBF
IRLML6302GTRPBFCT
IRLML6302GTRPBFCT-ND
IRLML6302PBFCT