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產品索引 > 離散式半導體產品 > 電晶體 - FET、MOSFET - 單一 > Infineon Technologies IRLML5103TRPBF
IRLML5103TRPBF Infineon Technologies | IRLML5103PBFCT-ND DigiKey Electronics

IRLML5103TRPBF P 通道 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) 表面黏著式 Micro3™/SOT-23
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10 2.83000 HK$28.30
25 2.70320 HK$67.58
100 1.42590 HK$142.59
500 1.26358 HK$631.79
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其他包裝
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IRLML5103TRPBF

規格書
Digi-Key零件編號 IRLML5103PBFCT-ND
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製造商

Infineon Technologies

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製造商零件編號 IRLML5103TRPBF
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說明 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
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製造商的標準前置時間 39 週
完整說明

P 通道 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) 表面黏著式 Micro3™/SOT-23

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 IRLML5103PbF
其他相關文件 Part Number Guide
產品培訓模組 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設計資源 IRLML5103TR Saber Model
特色產品 Data Processing Systems
PCN 設計／規格 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN 組裝地／原產地 Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020
PCN 包裝 Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
HTML 規格書 IRLML5103PbF
EDA / CAD 模型 IRLML5103TRPBF by SnapEDA
模擬模型 IRLML5103 Spice Model
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別 離散式半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 單一
製造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 760mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 600mOhm @ 600mA、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5.1nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 75pF @ 25V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 540mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 Micro3™/SOT-23
封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 *IRLML5103TRPBF
IRLML5103GTRPBFCT
IRLML5103GTRPBFCT-ND
IRLML5103PBFCT