HKD | USD
喜愛項目

IRF9389TRPBF MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 30V 6.8 A、4.6 A 2W 表面黏著式 8-SO
價格與採購
95,315 庫存現貨
可立即發貨
 

數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 3.97000 HK$3.97
10 3.42100 HK$34.21
25 3.19320 HK$79.83
100 2.37210 HK$237.21
500 1.85202 HK$926.01
1,000 1.50534 HK$1,505.34

送出報價請求,瞭解超過顯示數量時的價格。

其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : IRF9389TRPBFTR-ND
  • 最低訂購數量為: 4,000
  • 現有數量: 92,000 - 即時供貨
  • 單價: HK$1.41411
  • Digi-Reel®  : IRF9389TRPBFDKR-ND
  • 最低訂購數量為: 1
  • 現有數量: 95,315 - 即時供貨
  • 單價: Digi-Reel®

IRF9389TRPBF

規格書
Digi-Key零件編號 IRF9389TRPBFCT-ND
複製  
製造商

複製  
製造商零件編號 IRF9389TRPBF
複製  
說明 MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
複製  
製造商的標準前置時間 16 週
完整說明

MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 30V 6.8 A、4.6 A 2W 表面黏著式 8-SO

複製  
客戶參考號碼
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 和 P 通道
FET 特點 邏輯電平閘極
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 6.8 A、4.6 A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 27mOhm @ 6.8A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.3V @ 10µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 14nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 398pF @ 15V
功率 - 最大值 2W
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
供應商元件封裝 8-SO
基本零件編號 IRF9389
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
您可能會對以下項目感興趣

FDS8958A

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

ON Semiconductor

HK$6.59000 詳情

640456-2

CONN HEADER VERT 2POS 2.54MM

TE Connectivity AMP Connectors

HK$0.93000 詳情

DMC2700UDM-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Diodes Incorporated

HK$2.96000 詳情

0874380843

CONN HEADER SMD R/A 8POS 1.5MM

Molex

HK$6.25000 詳情

DMC3032LSD-13

MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP

Diodes Incorporated

HK$3.72000 詳情

IRF7317TRPBF

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

Infineon Technologies

HK$7.52000 詳情
其他資源
標準包裝 1
其他名稱 IRF9389TRPBFCT