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IPB65R190CFDATMA1 N 通道 650V 17.5 A (Tc) 151W (Tc) 表面黏著式 D²PAK (TO-263AB)
價格與採購
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數量
所有價格皆為 HKD。
價格分段 單價 總價
1 23.48000 HK$23.48
10 19.69100 HK$196.91
25 18.58440 HK$464.61
100 15.93110 HK$1,593.11
500 14.16072 HK$7,080.36

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : IPB65R190CFDATMA1TR-ND
  • 最低訂購數量為: 1,000
  • 現有數量: 0
  • 單價: HK$12.12512

IPB65R190CFDATMA1

規格書
Digi-Key零件編號 IPB65R190CFDATMA1CT-ND
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製造商

Infineon Technologies

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製造商零件編號 IPB65R190CFDATMA1
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說明 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
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製造商的標準前置時間 39 週
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N 通道 650V 17.5 A (Tc) 151W (Tc) 表面黏著式 D²PAK (TO-263AB)

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 IPx65R190CFD
其他相關文件 Part Number Guide
特色產品 Data Processing Systems
PCN 組裝地/原產地 Mult Dev Wafer Site Add 20/Sep/2018
PCN 包裝 Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
EDA / CAD 模型 IPB65R190CFDATMA1 by Ultra Librarian
模擬模型 CoolMOS™ Power MOSFET 650V CFD2 Spice Model
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 650V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 17.5 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 190mOhm @ 7.3A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 4.5V @ 730µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 68nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1850pF @ 100V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 151W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 D²PAK (TO-263AB)
封裝/外殼 TO-263-3、D²Pak (2 引線 + 接頭)、TO-263AB
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)

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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 IPB65R190CFDATMA1CT
IPB65R190CFDCT
IPB65R190CFDCT-ND