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BSS83PH6327XTSA1 P 通道 60V 330mA (Ta) 360mW (Ta) 表面黏著式 SOT-23-3
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價格分段 單價 總價
1 3.46000 HK$3.46
10 2.59300 HK$25.93
25 2.34160 HK$58.54
100 1.23500 HK$123.50
500 1.09412 HK$547.06
1,000 0.85151 HK$851.51

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : BSS83PH6327XTSA1TR-ND
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  • 單價: HK$0.77914
  • Digi-Reel®  : BSS83PH6327XTSA1DKR-ND
  • 最低訂購數量為: 1
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  • 單價: Digi-Reel®

BSS83PH6327XTSA1

規格書
Digi-Key零件編號 BSS83PH6327XTSA1CT-ND
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製造商

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製造商零件編號 BSS83PH6327XTSA1
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說明 MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
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製造商的標準前置時間 10 週
完整說明

P 通道 60V 330mA (Ta) 360mW (Ta) 表面黏著式 SOT-23-3

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 BSS83P
其他相關文件 Part Number Guide
特色產品 Data Processing Systems
PCN 組裝地/原產地 Lead Plate Supplier Add 26/Apr/2017
PCN 包裝 Carrier Tape Update 03/Jun/2015
HTML 規格書 BSS83P
模擬模型 MOSFET OptiMOS™ 60V P-Channel Spice Model
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Infineon Technologies
系列 SIPMOS®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 330mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 2Ohm @ 330mA、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2V @ 80µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 3.57nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 78pF @ 25V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 360mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SOT-23-3
封裝/外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 BSS83P H6327CT
BSS83P H6327CT-ND
BSS83PH6327XTSA1CT