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BSS214NWH6327XTSA1 N 通道 20V 1.5 A (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 PG-SOT323-3
價格與採購
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價格分段 單價 總價
1 3.21000 HK$3.21
10 2.38200 HK$23.82
25 2.08840 HK$52.21
100 1.13280 HK$113.28
500 0.92450 HK$462.25
1,000 0.68585 HK$685.85

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : BSS214NWH6327XTSA1TR-ND
  • 最低訂購數量為: 3,000
  • 現有數量: 21,000 - 即時供貨
  • 單價: HK$0.60236

BSS214NWH6327XTSA1

規格書
Digi-Key零件編號 BSS214NWH6327XTSA1CT-ND
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製造商

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製造商零件編號 BSS214NWH6327XTSA1
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說明 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323
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完整說明

N 通道 20V 1.5 A (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 PG-SOT323-3

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 BSS214NW
其他相關文件 Part Number Guide
特色產品 Data Processing Systems
PCN 組裝地/原產地 Plating Supplier/Wafer Site REV 14/Feb/2017
HTML 規格書 BSS214NW
模擬模型 OptiMOS™ Power MOSFET 20V N-Channel Spice Model
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 1.5 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 2.5V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 140mOhm @ 1.5A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1.2V @ 3.7µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 0.8nC @ 5V
Vgs (最大值) ±12V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 143pF @ 10V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 500mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 PG-SOT323-3
封裝/外殼 SC-70、SOT-323
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 BSS214NWH6327XTSA1CT