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BSS138WH6327XTSA1 N 通道 60V 280mA (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 PG-SOT323-3
價格與採購
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價格分段 單價 總價
1 3.63000 HK$3.63
10 2.47500 HK$24.75
25 2.46680 HK$61.67
100 1.20630 HK$120.63
500 1.00610 HK$503.05
1,000 0.69903 HK$699.03

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : BSS138WH6327XTSA1TR-ND
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  • 單價: HK$0.58378

BSS138WH6327XTSA1

規格書
Digi-Key零件編號 BSS138WH6327XTSA1CT-ND
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製造商

Infineon Technologies

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製造商零件編號 BSS138WH6327XTSA1
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說明 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
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完整說明

N 通道 60V 280mA (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 PG-SOT323-3

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 BSS138W
其他相關文件 Part Number Guide
特色產品 Data Processing Systems
PCN 組裝地/原產地 PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017
PCN 包裝 Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016
HTML 規格書 BSS138W
模擬模型 MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Infineon Technologies
系列 SIPMOS®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 280mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 3.5Ohm @ 200mA、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1.4V @ 26µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 43pF @ 25V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 500mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 PG-SOT323-3
封裝/外殼 SC-70、SOT-323
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 BSS138WH6327XTSA1CT