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BSS127H6327XTSA2 N 通道 600V 21mA (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 SOT-23-3
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價格分段 單價 總價
1 3.38000 HK$3.38
10 2.54300 HK$25.43
25 2.29440 HK$57.36
100 1.21050 HK$121.05
500 1.07250 HK$536.25
1,000 0.83461 HK$834.61

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : BSS127H6327XTSA2TR-ND
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  • 單價: HK$0.76368
  • Digi-Reel®  : BSS127H6327XTSA2DKR-ND
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  • 單價: Digi-Reel®

BSS127H6327XTSA2

規格書
Digi-Key零件編號 BSS127H6327XTSA2CT-ND
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製造商

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製造商零件編號 BSS127H6327XTSA2
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說明 MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
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製造商的標準前置時間 10 週
完整說明

N 通道 600V 21mA (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 SOT-23-3

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 BSS127
其他相關文件 Part Number Guide
特色產品 Data Processing Systems
PCN 組裝地/原產地 Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
HTML 規格書 BSS127
模擬模型 MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V and 800V N-Channel Spice Model
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Infineon Technologies
系列 SIPMOS®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 600V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 21mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 500Ohm @ 16mA、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.6V @ 8µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 28pF @ 25V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 500mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SOT-23-3
封裝/外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 BSS127H6327XTSA2CT