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BSD235CH6327XTSA1 MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 20V 950mA、530mA 500mW 表面黏著式 PG-SOT363-6
價格與採購
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數量
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價格分段 單價 總價
1 3.97000 HK$3.97
10 2.79600 HK$27.96
25 2.67600 HK$66.90
100 1.41070 HK$141.07
500 1.25056 HK$625.28
1,000 1.02181 HK$1,021.81

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : BSD235CH6327XTSA1TR-ND
  • 最低訂購數量為: 3,000
  • 現有數量: 48,000 - 即時供貨
  • 單價: HK$0.92323

BSD235CH6327XTSA1

規格書
Digi-Key零件編號 BSD235CH6327XTSA1CT-ND
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製造商

Infineon Technologies

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製造商零件編號 BSD235CH6327XTSA1
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說明 MOSFET N/P-CH 20V SOT363
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製造商的標準前置時間 52 週
完整說明

MOSFET - 陣列 N 和 P 通道 20V 950mA、530mA 500mW 表面黏著式 PG-SOT363-6

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 BSD235C
其他相關文件 Part Number Guide
特色產品 Data Processing Systems
PCN 組裝地/原產地 Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
PCN 包裝 Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016
模擬模型 MOSFET OptiMOS™ 20V Complementary Spice Model
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 和 P 通道
FET 特點 邏輯電平閘極
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 950mA、530mA
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 350mOhm @ 950mA、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1.2V @ 1.6µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 0.34nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 47pF @ 10V
功率 - 最大值 500mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 6-VSSOP、SC-88、SOT-363
供應商元件封裝 PG-SOT363-6
基本零件編號 BSD235
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 BSD235C H6327CT
BSD235C H6327CT-ND
BSD235CH6327XT
BSD235CH6327XTSA1CT