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2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET - 陣列 2 N-通道 (雙) 60V 300mA 500mW 表面黏著式 PG-SOT363-6
價格與採購
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數量
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價格分段 單價 總價
1 2.87000 HK$2.87
10 2.11200 HK$21.12
25 1.84480 HK$46.12
100 1.00190 HK$100.19
500 0.81704 HK$408.52
1,000 0.60619 HK$606.19

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : 2N7002DWH6327XTSA1TR-ND
  • 最低訂購數量為: 3,000
  • 現有數量: 54,000 - 即時供貨
  • 單價: HK$0.53239

2N7002DWH6327XTSA1

規格書
Digi-Key零件編號 2N7002DWH6327XTSA1CT-ND
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製造商

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製造商零件編號 2N7002DWH6327XTSA1
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說明 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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完整說明

MOSFET - 陣列 2 N-通道 (雙) 60V 300mA 500mW 表面黏著式 PG-SOT363-6

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 2N7002DW Datasheet
其他相關文件 Part Number Guide
特色產品 Data Processing Systems
PCN 組裝地/原產地 Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
PCN 包裝 Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016
HTML 規格書 2N7002DW Datasheet
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 2 N-通道 (雙)
FET 特點 邏輯電平閘極
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 300mA
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 3Ohm @ 500mA、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 0.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 20pF @ 25V
功率 - 最大值 500mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 6-VSSOP、SC-88、SOT-363
供應商元件封裝 PG-SOT363-6
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 2N7002DW H6327CT
2N7002DW H6327CT-ND
2N7002DWH6327XTSA1CT
2N7002H6327XT