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DMP21D0UFB4-7B P 通道 20V 770mA (Ta) 430mW (Ta) 表面黏著式 X2-DFN1006-3
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其他包裝
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DMP21D0UFB4-7B

規格書
Digi-Key零件編號 DMP21D0UFB4-7BDITR-ND
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製造商

Diodes Incorporated

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製造商零件編號 DMP21D0UFB4-7B
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說明 MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
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製造商的標準前置時間 21 週
完整說明

P 通道 20V 770mA (Ta) 430mW (Ta) 表面黏著式 X2-DFN1006-3

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 DMP21D0UFB4
RoHS指令資訊 Diodes RoHS 3 Cert
PCN 組裝地/原產地 Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Diodes Incorporated
系列 -
封裝 編帶和捲軸封裝 (TR) 
零件狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 770mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 1.8V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 495mOhm @ 400mA、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 700mV @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1.54nC @ 8V
Vgs (最大值) ±8V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 80pF @ 10V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 430mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 X2-DFN1006-3
封裝/外殼 3-XFDFN
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 10,000
其他名稱 DMP21D0UFB4-7BDITR
DMP21D0UFB47B