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產品索引 > 離散式半導體產品 > 電晶體 - FET、MOSFET - 單一 > Diodes Incorporated DMN6075S-7
DMN6075S-7 Diodes Incorporated | DMN6075S-7DITR-ND DigiKey Electronics

DMN6075S-7 N 通道 60V 2 A (Ta) 800mW (Ta) 表面黏著式 SOT-23
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3,000 0.53019 HK$1,590.58
6,000 0.50691 HK$3,041.44
9,000 0.43841 HK$3,945.66
30,000 0.43019 HK$12,905.58
75,000 0.35620 HK$26,715.30

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其他包裝
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  • Digi-Reel®  : DMN6075S-7DIDKR-ND
  • 最低訂購數量為: 1
  • 現有數量: 195,450 - 即時供貨
  • 單價: Digi-Reel®
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : DMN6075S-13DI-ND
  • 最低訂購數量為: 10,000  非庫存貨 
  • 現有數量: 0
  • 單價: HK$0.48658

DMN6075S-7

規格書
Digi-Key零件編號 DMN6075S-7DITR-ND
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製造商

Diodes Incorporated

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製造商零件編號 DMN6075S-7
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說明 MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
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製造商的標準前置時間 30 週
完整說明

N 通道 60V 2 A (Ta) 800mW (Ta) 表面黏著式 SOT-23

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 DMN6075S
RoHS指令資訊 Diodes RoHS 3 Cert
PCN 組裝地／原產地 Mult Dev Site Add 1/Jul/2020
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別 離散式半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 單一
製造商 Diodes Incorporated
系列 -
封裝 編帶和捲軸封裝 (TR) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 2 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 85mOhm @ 3.2A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 12.3nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 606pF @ 20V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 800mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 SOT-23
封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 3,000
其他名稱 DMN6075S-7DITR